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PECVD法生長(zhǎng)氮化硅工藝的研究

PECVD法生長(zhǎng)氮化硅工藝的研究

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級(jí)別:| 積分:0 分 | 瀏覽:80892 | 大。500.09KB | 下載:4467 次 | 上傳:2013-09-30

簡(jiǎn)介:

采用了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在聚 酰亞胺犧牲層上生長(zhǎng)氮化硅薄膜,討論沉積溫度、射頻功率、反應(yīng)氣體流量比等工藝參數(shù)對(duì)氮化硅薄膜的生長(zhǎng)速率、氮硅比、殘余應(yīng)力等性能的影響,得到適合制作接觸式射頻 MEMS開(kāi)關(guān)中懸梁的氮化硅薄膜的最佳工藝條件。

[展開(kāi)]
         
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