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用于太陽(yáng)電池吸收層的Cu2ZnSnS4薄膜的制備及其光電特性

用于太陽(yáng)電池吸收層的Cu2ZnSnS4薄膜的制備及其光電特性

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簡(jiǎn)介:

采用真空蒸鍍技術(shù)在鈉鈣玻璃襯底上蒸鍍Cu/ Sn/ ZnS 前驅(qū)體,在氮?dú)獗Wo(hù)下,硫化制備了CueZnSnS4(CZTS)薄膜. 運(yùn)用X 射線衍射儀(XRD) , Hall 效應(yīng)測(cè)試儀、紫外一可見(jiàn)光(UV-VIS) 分光光度計(jì)對(duì)樣品進(jìn)行了表征分析,研究了前驅(qū)體中預(yù)計(jì)原子比對(duì)CZTS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)及光電特性的依賴關(guān)系.通過(guò)對(duì)蒸發(fā)源Cu 的質(zhì)量的控 制與微調(diào),獲得了具有單一相類黝錫礦結(jié)構(gòu)的CZTS 薄膜,其對(duì)可見(jiàn)光的光吸收系數(shù)大于104cm-1、光學(xué)禁帶寬度約為1. 51eV,薄膜的電阻率、載流子遷移率和載

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